Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HTNFET-T

MOSFET N-CH 55V 4POWER TAB

Paket/Kılıf
4-SIP
Seri / Aile Numarası
HTNFET

HTNFET-T Hakkında

HTNFET-T, Honeywell Aerospace tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 55V Drain-Source gerilimi ve 4.3nC gate charge ile hızlı anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. 5V drive voltajında 400mOhm maksimum on-direnci sunar. Through-hole montaj tipi 4-SIP paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile +225°C sıcaklık aralığında çalışabilir ve 50W güç tüketebilir. Güç yönetimi devrelerinde, DC-DC konvertörlerde, motor kontrol uygulamalarında ve endüstriyel anahtarlama devrelerinde kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 290 pF @ 28 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 225°C (TJ)
Package / Case 4-SIP
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 50W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 100mA, 5V
Supplier Device Package 4-Power Tab
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 100µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok