Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HTNFET-DC

MOSFET N-CH 55V 8-DIP

Paket/Kılıf
8-CDIP Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
HTNFET-DC

HTNFET-DC Hakkında

HTNFET-DC, Honeywell Aerospace tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 55V drain-source gerilim kapasitesi ile anahtarlama ve güç amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 8-CDIP through-hole paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 50W güç yayabilir ve 400mΩ on-state direnci ile düşük kayıp özellikleri sağlar. Endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüleri, güç kaynakları ve RF uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 5V drive voltajı ile standart lojik devrelerle uyumlu çalışır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 290 pF @ 28 V
Mounting Type Through Hole
Package / Case 8-CDIP Exposed Pad
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 50W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 100mA, 5V
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 100µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok