Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
HTNFET-D
MOSFET N-CH 55V 8CDIP
- Üretici
- Honeywell Aerospace
- Paket/Kılıf
- 8-CDIP Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HTNFET-D
HTNFET-D Hakkında
HTNFET-D, Honeywell Aerospace tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 55V drain-source gerilimi ve 50W güç tüketim kapasitesi ile endüstriyel ve aerospace uygulamalarında kullanılır. 5V gate sürücü geriliminde 400mOhm on-resistance değeri ile verimli anahtarlama işlemi gerçekleştirir. -55°C ile 225°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Through-hole montaj tipi ile geleneksel PCB tasarımlarında yer alır. Motor kontrol, güç yönetimi, anahtar uygulamaları ve sinyal işleme devrelerinde yaygın olarak tercih edilir. 8-CDIP DIP paket formatında tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.3 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 290 pF @ 28 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 225°C (TJ) |
| Package / Case | 8-CDIP Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tj) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 100mA, 5V |
| Supplier Device Package | 8-CDIP-EP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok