Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
HS54095TZ-E
MOSFET N-CH 600V 200MA TO92-3
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HS54095TZ
HS54095TZ-E Hakkında
HS54095TZ-E, Renesas Electronics tarafından üretilen bir N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilim (Vdss) ve 200mA sürekli drain akımı (Id) kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında anahtarlama görevini yerine getirir. TO-92-3 paket tipinde sunulan bu bileşen, Vgs ±30V gate gerilim aralığında çalışır ve 16.5Ohm maksimum RDS(on) değeri ile verimli iletim sağlar. 4.8nC gate charge ve 66pF input capacitance özellikleri ile hızlı anahtarlama özelliği sunar. 750mW maksimum güç dağılımı ve 150°C maksimum çalışma sıcaklığı ile endüstriyel ve tüketici uygulamalarında kullanılan genel amaçlı anahtarlama transistörüdür. Not: Bu ürün üretim dışı (Obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 200mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 66 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 Short Body |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 750mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.5Ohm @ 100mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok