Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HRF3205F102

N-CHANNEL POWER MOSFET, 100A, 55

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
HRF3205F

HRF3205F102 Hakkında

HRF3205F102, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel power MOSFET'tir. 100A sürekli dren akımı kapasitesi ve 55V drain-source gerilim derecelendirilmesi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 8mΩ tipik on-direnç değeri ile enerji kaybını minimize eder. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, elektrik motor kontrolü, güç kaynakları, LED sürücüleri ve endüstriyel switching uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 175W maksimum güç saçabilme kapasitesine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4000 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 175W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 59A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok