Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HRF3205_NL

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
HRF3205

HRF3205_NL Hakkında

HRF3205_NL, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 55V drain-source gerilimi ve 100A sürekli drenaj akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 8mΩ maksimum RDS(on) değeri ile iletim kayıpları düşüktür. TO-220-3 through-hole paket tipi ile standart PCB uygulamalarına kolayca entegre edilir. Gate charge değeri 170nC olup, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Anahtarlama devrelerine, motor sürücülerine, DC-DC konvertörlere ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir. 10V gate-drive voltajı ile çalışır ve ±20V maksimum gate-source gerilimini tolere eder.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4000 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 175W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 59A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok