Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
HCT7000M
MOSFET N-CH 60V 200MA 3SMD
- Üretici
- WEC
- Paket/Kılıf
- 3-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HCT7000M
HCT7000M Hakkında
HCT7000M, WEC tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltaj (Vdss) ve 200mA sürekli drain akımı (Id) kapasitesine sahiptir. 10V gate-source sürücü voltajında 5Ohm maksimum kapalı direnç (Rds On) değeri ile çalışır. Surface mount 3-SMD paketinde sunulan bu transistör, düşük sinyal geçişi ve güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında 300mW maksimum güç tüketimi ile tasarlanmıştır. 60pF input kapasitans değeri, hızlı anahtarlama gerektiren devreler için uygun bir seçimdir. Endüstriyel kontrol, AC/DC dönüştürücüler ve dijital lojik sürücü uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 200mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 60 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-SMD, No Lead |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 300mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | 3-SMD |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±40V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok