Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HAT2287WP-EL-E

MOSFET N-CH 200V 17A 8WPAK

Paket/Kılıf
8-PowerWDFN
Seri / Aile Numarası
HAT2287

HAT2287WP-EL-E Hakkında

HAT2287WP-EL-E, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ile 17A sürekli dren akımını anahtarlayabilen bu bileşen, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 8-PowerWDFN paketinde sunulan bu MOSFET, 10V gate geriliminde 94mΩ maksimum Rds(on) değerine sahiptir. Endüstriyel power management, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. 150°C çalışma sıcaklığı ve 30W güç dissipasyonu kapasitesi ile güvenilir performans sağlar. ±30V maksimum gate gerilimi ile geniş uygulama yelpazesine uyarlanabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1200 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerWDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 94mOhm @ 8.5A, 10V
Supplier Device Package 8-WPAK (3)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok