Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HAT2279N-EL-E

MOSFET N-CH 80V 30A 8LFPAK

Paket/Kılıf
8-LFPAK-iV
Seri / Aile Numarası
HAT2279N

HAT2279N-EL-E Hakkında

HAT2279N-EL-E, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 80V Drain-Source gerilimi ile 30A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 8-LFPAK SMD paketlemesi ile entegre devre boardlarına yerleştirilir. Düşük on-state direnci (RDS On: 12.3mΩ @ 15A, 10V) güç kaybını minimize eder. Motor kontrol, power management, DC-DC dönüştürücüler, LED sürücüleri ve enerji yönetimi sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. 150°C'ye kadar çalışma sıcaklığı desteği ile endüstriyel uygulamalara uygundur. Not: Bu ürün üretimi sonlandırılmış (Obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3520 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.3mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package 8-LFPAK-iV
Technology MOSFET (Metal Oxide)

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok