Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
HAT2279HWS-E
MOSFET N-CH 80V 30A 5LFPAK
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- SOT-669
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HAT2279HWS
HAT2279HWS-E Hakkında
HAT2279HWS-E, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 80V drain-source gerilimi ve 30A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. 12mΩ RDS(on) değeri ile düşük kaçış kaybı sağlar. SC-100 (SOT-669) LFPAK paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama tabanlı dc/dc konvertörler, motor sürücüleri, güç yönetimi devreleri ve diğer yüksek akım anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Maksimum 25W güç tüketimi ve -40°C ile 150°C arasında işletme sıcaklığı aralığı ile geniş uygulama yelpazesine uyarlanabilir. Ürün artık üretilmemektedir (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3520 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C |
| Package / Case | SC-100, SOT-669 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | LFPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok