Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
HAT2267H-EL-E
MOSFET N-CH 80V 25A LFPAK
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- SOT-669
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HAT2267H
HAT2267H-EL-E Hakkında
HAT2267H-EL-E, Renesas Electronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 80V drain-source voltaj derecelendirmesi ve 25A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarına uygundur. 16mOhm RDS(on) değeri ile düşük kondüksiyon kayıpları sağlar. SC-100 LFPAK paketinde sunulan bu bileşen, ±20V maksimum gate gerilimi ile çalışır ve 150°C'ye kadar sıcaklıkta işletim yapabilir. Switching güç kaynakları, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüleri ve yük anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. SMD montajı için optimize edilmiş yapısı, kompakt elektronik tasarımları için uygun bir çözüm sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2150 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-100, SOT-669 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 12.5A, 10V |
| Supplier Device Package | LFPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok