Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
HAT2266H-EL-E
MOSFET N-CH 60V 30A LFPAK
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- SOT-669
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HAT2266H
HAT2266H-EL-E Hakkında
HAT2266H-EL-E, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 30A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. SC-100 (LFPAK) yüzey montaj paketinde sunulan transistör, düşük 12mΩ RDS(on) direnci sayesinde ısı kaybını minimize eder. 150°C çalışma sıcaklığına kadar dayanıklı olan HAT2266H, motor sürücüler, DC-DC dönüştürücüler, güç kaynakları ve inverter devreleri gibi endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3600 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-100, SOT-669 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 23W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | LFPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok