Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
HAT2175H-EL-E
MOSFET N-CH 100V 15A LFPAK
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- SOT-669
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HAT2175H
HAT2175H-EL-E Hakkında
HAT2175H-EL-E, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET'tir. 100V drain-source voltaj derecesine ve 15A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. SC-100/SOT-669 LFPAK paketinde sunulan bu transistör, 42mOhm maksimum on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Gate charge değeri 21nC ve input capacitance 1445pF'dir. ±20V gate-source voltaj aralığında çalışabilir. İşletme sıcaklığı 150°C'ye kadar çıkabilir. Power dissipation maksimum 15W'tır. Düşük on-resistance özelliği sayesinde anahtarlama uygulamalarında, motor kontrol devrelerinde, DC-DC dönüştürücülerde ve güç yönetimi sistemlerinde kullanıma uygundur. Surface mount teknolojisi ile PCB entegrasyonu kolaylaştırılmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 8V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1445 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-100, SOT-669 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 15W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42mOhm @ 7.5A, 10V |
| Supplier Device Package | LFPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok