Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HAT2174H-EL-E

MOSFET N-CH 100V 20A LFPAK

Paket/Kılıf
SOT-669
Seri / Aile Numarası
HAT2174H

HAT2174H-EL-E Hakkında

HAT2174H-EL-E, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 20A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 27mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim direncine sahip olup, yüksek frekans anahtarlama uygulamalarında verimliliktir. SC-100 (LFPAK) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, motor sürücüleri, anahtarlamalı regülatörler ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. ±20V maksimum gate gerilimi ile uyumlu olup, -55°C ile 150°C arasında çalışmaya elverişlidir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 8V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2280 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case SC-100, SOT-669
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 27mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package LFPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok