Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
HAT2173HWS-E
MOSFET N-CH 100V 25A 5LFPAK
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- SOT-669
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HAT2173HWS
HAT2173HWS-E Hakkında
HAT2173HWS-E, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilim ve 25A sürekli akım kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 10V gate gerilimi altında 15mΩ on-resistance değeri ile düşük anahtarlama kayıpları sağlar. SC-100 (SOT-669) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, güç yönetimi, LED sürücüleri ve endüstriyel denetim sistemlerinde yer alır. 150°C maksimum çalışma sıcaklığı ve 30W güç dağıtım kapasitesi ile uzun ömürlü sistem tasarımlarına uygulanabilir. Gate charge karakteristiği (61nC @ 10V) hızlı anahtarlama gereksinimlerinde kontrol devrelerinin boyutlandırılmasında referans değerdir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 8V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 61 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4350 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C |
| Package / Case | SC-100, SOT-669 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15mOhm @ 12.5A, 10V |
| Supplier Device Package | LFPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 6V @ 20mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok