Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HAT2173H-EL-E

MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK

Paket/Kılıf
SOT-669
Seri / Aile Numarası
HAT2173H

HAT2173H-EL-E Hakkında

HAT2173H-EL-E, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltajı ve 25A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 15mOhm maksimum on-direnci (10V gate voltajında 12.5A akımda) düşük ısı kayıpları sağlar. Surface mount LFPAK paketi ile kompakt PCB tasarımlarına uygun olan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, güç yönetimi ve DC-DC konvertörlerde tercih edilir. ±20V maksimum gate-source voltajı ve 150°C maksimum junction sıcaklığı ile endüstriyel ortamlarda çalışabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 25A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 8V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4350 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case SC-100, SOT-669
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 12.5A, 10V
Supplier Device Package LFPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 6V @ 20mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok