Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
HAT2172N-EL-E
MOSFET N-CH 40V 30A 8LFPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-LFPAK-iV
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HAT2172N
HAT2172N-EL-E Hakkında
HAT2172N-EL-E, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V Drain-Source gerilim (Vdss) ve 30A sürekli dren akımı kapasitesiyle, güç elektronikleri uygulamalarında anahtarlama görevlerini yerine getirir. 7.8mOhm düşük açık direnç (Rds On) ve 20W güç disipasyon özelliği ile motor kontrol, güç kaynakları, LED sürücü devreleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 8-LFPAK yüzey montaj paketinde sunulan bileşen, kompakt tasarımlar için uygundur. Maksimum 150°C çalışma sıcaklığına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2420 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 20W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.8mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-LFPAK-iV |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok