Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
HAT2171H-EL-E
MOSFET N-CH 40V 40A LFPAK
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- SOT-669
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HAT2171H
HAT2171H-EL-E Hakkında
HAT2171H-EL-E, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilimi ve 40A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 4.8mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. SC-100 (LFPAK) yüzey montajlı paket içinde sunulur. Devrelerde anahtarlama, motor kontrolü, güç dönüştürücüleri ve batarya yönetim sistemlerinde yer alabilir. ±20V maksimum gate gerilimi ile geniş çalışma aralığına sahiptir. Maksimum 150°C jonksiyon sıcaklığında ve 25W güç dağılımında çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 52 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3750 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-100, SOT-669 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | LFPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok