Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
HAT2170H-EL-E
MOSFET N-CH 40V 45A LFPAK
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- SOT-669
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HAT2170H
HAT2170H-EL-E Hakkında
HAT2170H-EL-E, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilimi (Vdss) ve 45A sürekli drain akımı (Id) ile güç elektronik uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. SC-100 / SOT-669 LFPAK paketinde sunulan bu bileşen, 4.2mΩ maksimum on-resistance (10V, 22.5A) değeri sayesinde düşük güç kaybı sağlar. 62nC gate charge ve düşük input kapasitansı (4650pF) ile hızlı anahtarlama özelliği gösterir. ±20V maksimum gate-source gerilimi ile geniş kontrol aralığına sahiptir. DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri, güç yönetimi ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılır. Maksimum 150°C çalışma sıcaklığında 30W güç dağılımı yapabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 45A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 62 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4650 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-100, SOT-669 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2mOhm @ 22.5A, 10V |
| Supplier Device Package | LFPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok