Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
HAT2169H-EL-E
MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- SOT-669
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HAT2169H
HAT2169H-EL-E Hakkında
HAT2169H-EL-E, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilim (Vdss) ve 50A sürekli drain akımı (Id) özelliğine sahiptir. SC-100/SOT-669 LFPAK paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate geriliminde 3.5mΩ düşük on-direnci (RDS(on)) değeri ile verimli çalışır. Gate eşik gerilimi 2.5V @ 1mA, maksimum gate gerilimi ±20V'dur. 150°C çalışma sıcaklığında 30W güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. Surface mount montaj türüyle üretilmiştir. DC-DC konvertörler, motor sürücüleri, güç yönetimi devreleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6650 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-100, SOT-669 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | LFPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok