Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
HAT2166HWS-E
MOSFET N-CH 30V 45A 5LFPAK
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- SOT-669
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HAT2166HWS
HAT2166HWS-E Hakkında
HAT2166HWS-E, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 45A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 3.8mΩ (@ 10V, 22.5A) düşük on-resistance değeri ile güç kayıplarını minimize eder. SC-100/SOT-669 paketinde surface mount olarak sunulan bu bileşen, güç dönüştürme, motor kontrolü, anahtarlama uygulamaları ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. ±20V maksimum gate gerilimi ve 2.5V threshold gerilimi ile kontrol devrelerine uyumludur. 150°C işletme sıcaklığına kadar çalışabilir. Not: Bu ürün obsolete durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 45A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4400 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C |
| Package / Case | SC-100, SOT-669 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8mOhm @ 22.5A, 10V |
| Supplier Device Package | LFPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok