Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HAT2165N-EL-E

MOSFET N-CH 30V 55A 8LFPAK

Paket/Kılıf
8-LFPAK-iV
Seri / Aile Numarası
HAT2165N

HAT2165N-EL-E Hakkında

HAT2165N-EL-E, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltajında 55A sürekli akım kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek akım uygulamalarında anahtarlama ve güç yönetimi görevlerinde kullanılır. 8-LFPAK gövdesinde sunulan bu transistör, 3.6mΩ düşük RDS(on) değeri ile düşük ısı kaybı sağlar. 30W güç tüketim yeteneği ile motor kontrol, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve yük anahtarlaması uygulamalarında yer bulur. Maksimum 150°C çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar. Bileşen üretimi sonlandırılmış olup, stok mevcudiyetine bağlı olarak temin edilebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 55A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5180 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.6mOhm @ 27.5A, 10V
Supplier Device Package 8-LFPAK-iV
Technology MOSFET (Metal Oxide)

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok