Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
HAT2165H-EL-E
MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- SOT-669
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HAT2165H
HAT2165H-EL-E Hakkında
HAT2165H-EL-E, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 55A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, düşük on-resistance değeriyle (3.3mOhm @ 10V) verimli güç anahtarlaması uygulamalarında kullanılır. SC-100/LFPAK paket formatında surface mount montajı destekleyen bu transistör, DC/DC dönüştürücüler, motor sürücüleri, güç yönetimi devreleri ve enerji dönüştürme uygulamalarında tercih edilir. -20V ile +20V arasında gate gerilimi toleransı ve 150°C çalışma sıcaklığı ile yüksek sıcaklık ortamlarında da kullanılabilir. Maksimum 30W güç dağılımı kapasitesine sahip bu MOSFET, hızlı anahtarlama karakteristiğinden dolayı anahtarlamalı güç kaynakları için uygun bir seçenektir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 55A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5180 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-100, SOT-669 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3mOhm @ 27.5A, 10V |
| Supplier Device Package | LFPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok