Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
HAT2160H-EL-E
MOSFET N-CH 20V 60A LFPAK
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- SOT-669
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HAT2160H
HAT2160H-EL-E Hakkında
HAT2160H-EL-E, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 60A sürekli drain akımı ile güç yönetimi, motor kontrolü, güç kaynakları ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 2.6mΩ (10V, 30A) düşük on-resistance değeri ile verimli çalışma sağlar. SC-100/SOT-669 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 150°C'ye kadar sıcaklıkta çalışabilir ve 30W maksimum güç dağıtımı desteği ile kompakt devre tasarımlarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 54 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7750 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-100, SOT-669 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | LFPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok