Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
HAT2099H-EL-E
MOSFET N-CH 30V 50A LFPAK
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- SOT-669
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HAT2099H
HAT2099H-EL-E Hakkında
HAT2099H-EL-E, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 50A sürekli drenaj akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 3.7mOhm maksimum on-resistance değeri ile düşük enerji kaybı sağlar. Surface Mount LFPAK (SC-100, SOT-669) paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi devrelerinde, DC-DC dönüştürücülerde, motor sürücü uygulamalarında ve anahtarlama devrelerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. ±20V maksimum gate gerilimi ile geniş kontrol aralığı ve 150°C çalışma sıcaklığı ile endüstriyel uygulamalara uygun bir çözüm sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 75 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4750 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-100, SOT-669 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | LFPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok