Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
HAT1127HWS-E
MOSFET P-CH 30V 40A 5LFPAK
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- SOT-669
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HAT1127HWS
HAT1127HWS-E Hakkında
HAT1127HWS-E, Renesas Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V Drain-Source gerilim ve 40A sürekli akım kapasitesine sahip olup, 10V gate geriliminde 4.5mΩ düşük RDS(on) değeriyle çalışır. SC-100 (SOT-669) LFPAK paketinde sunulan bu komponent, yüksek akım uygulamalarında hızlı anahtarlama gerektiren güç yönetimi devreleri, DC-DC dönüştürücüler, inverter sistemleri ve batarya yönetim uygulamalarında kullanılır. 150°C işletme sıcaklığı ve 30W güç dağıtım kapasitesi ile endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygundur. Lütfen dikkat: Bu ürün obsolete (üretimi durdurulmuş) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 125 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5600 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C |
| Package / Case | SC-100, SOT-669 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | LFPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +10V, -20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok