Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HAT1072H-EL-E

MOSFET P-CH 30V 40A LFPAK

Paket/Kılıf
SOT-669
Seri / Aile Numarası
HAT1072H

HAT1072H-EL-E Hakkında

HAT1072H-EL-E, Renesas Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V Drain-Source gerilim ve 40A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, güç anahtarlama ve yönetim uygulamalarında kullanılır. 4.5mOhm maksimum On-Direnç (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. SC-100 (LFPAK) yüzey montajlı paketinde sunulan transistör, pil yönetim sistemleri, DC/DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve güç dağıtım uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Maksimum 150°C bağlantı noktası sıcaklığında çalışabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 40A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 9500 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case SC-100, SOT-669
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package LFPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) +10V, -20V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok