Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
HAT1069C-EL-E
MOSFET P-CH 12V 4A 6CMFPAK
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- 6-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HAT1069C
HAT1069C-EL-E Hakkında
HAT1069C-EL-E, Renesas Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 12V drain-source gerilim (Vdss) ve 4A sürekli drenaj akımı (Id) kapasitesine sahip bu bileşen, düşük on-dirençle (Rds On: 52mΩ @ 4.5V) verimli anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 6-SMD flat leads paketinde sunulan komponent, güç kaynakları, batarya yönetim sistemleri, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak uygulanır. ±8V maksimum gate-source gerilimi ve 1.2V eşik gerilimi ile kontrol elektroniklerine uyumludur. İşletme sıcaklığı aralığı 150°C'ye kadar çıkabilir. Parça durumu obsolete olarak işaretlenmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1380 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C |
| Package / Case | 6-SMD, Flat Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 900mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-CMFPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok