Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
H7N1002LS-E
MOSFET N-CH 100V 75A 4LDPAK
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- SC-83
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- H7N1002LS
H7N1002LS-E Hakkında
H7N1002LS-E, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 75A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. SC-83 (LDPAK) paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-direnç değeri (10mΩ @ 37.5A, 10V) ile güç uygulamalarında verimli çalışma sağlar. Maksimum 100W güç yayınlayabilen ve ±20V gate gerilimi aralığında çalışan bu transistör, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüler, güç kaynakları ve anahtarlama devreleri gibi endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında kullanılır. 150°C'ye kadar sıcaklıkta çalışabilir ve hızlı anahtarlama performansı için 155nC gate yükü ile tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 75A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 155 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9700 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-83 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 37.5A, 10V |
| Supplier Device Package | LDPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok