Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
H5N2522LSTL-E
MOSFET N-CH 250V 20A 4LDPAK
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- SC-83
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- H5N2522LSTL
H5N2522LSTL-E Hakkında
H5N2522LSTL-E, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 250V drain-source gerilimi ve 20A sürekli dren akımı ile yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 180mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. SC-83 (LDPAK) paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi, motor kontrolü, LED sürücüleri ve endüstriyel anahtarlama devrelerinde uygulanır. 150°C maksimum junction sıcaklığı ve 75W güç dağıtım kapasitesi ile termal olarak taşıyıcı tasarımları destekler. ±30V gate gerilimi aralığında çalışır ve yüzey montajı uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 47 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1300 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-83 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 75W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | LDPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok