Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
GT55N06D5
N60V,RD(MAX)<8M@10V,RD(MAX)<13M@
- Üretici
- Goford Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- GT55N06D5
GT55N06D5 Hakkında
GT55N06D5, Goford Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilim ve 53A sürekli drain akımı ile tasarlanan bu bileşen, güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. 9mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimli işletme sağlar. 8-PowerTDFN paketinde sunulan GT55N06D5, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüleri, güç yönetim devreleri ve endüstriyel güç uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahip olan bu transistör, yüksek entegrasyon gerektiren kompakt tasarımlar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 53A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1988 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 70W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 14A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-DFN (4.9x5.75) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok