Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
GT52N10D5
N100V,RD(MAX)<7.5M@10V,RD(MAX)<1
- Üretici
- Goford Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- GT52N10D5
GT52N10D5 Hakkında
GT52N10D5, Goford Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltaj kapasitesi ve 71A sürekli drenaj akımı ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 7.5mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 44.5nC gate charge ve 2626pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirir. Surface Mount 8-PowerTDFN paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve maksimum 79W güç disipasyonuna dayanır. Motorlar, güç kaynakları, DC/DC dönüştürücüler ve anahtarlamalı güç uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 71A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 44.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2626 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 79W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-DFN (5.2x5.86) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok