Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
GT110N06S
N60V,RD(MAX)<15M@-4.5V,RD(MAX)<1
- Üretici
- Goford Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-SOP
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- GT110N06S
GT110N06S Hakkında
GT110N06S, Goford Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 14A sürekli drain akımı ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılan bir yarıiletken bileşenidir. 4.5V kapı geriliminde 11mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Surface mount 8-SOP paketinde sunulan bu transistör, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen ve 3.1W güç dağıtabilen yapısıyla endüstriyel ve tüketici elektroniği ürünlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1300 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.1W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 14A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok