Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
GPIHV30SB5L
GANFET N-CH 1200V 30A TO263-5L
- Üretici
- GaNPower
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- GPIHV30SB5L
GPIHV30SB5L Hakkında
GPIHV30SB5L, GaNPower tarafından üretilen 1200V N-Channel GaNFET (Gallium Nitride Field Effect Transistor) transistördür. TO263-5L paketinde sunulan bu bileşen, 30A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 8.25 nC gate charge ve 236 pF input capacitance özellikleri ile hızlı anahtarlama operasyonları gerçekleştirebilir. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. GaN teknolojisinin düşük kayıp avantajından yararlanarak, güç dönüştürücüleri, inverterler, DC-DC konvertörleri ve AC-DC adaptörler gibi uygulamalarda tercih edilir. Surface mount montajı ile modern PCB tasarımlarına kolayca entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.25 nC @ 6 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 236 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Active |
| Supplier Device Package | Die |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (Max) | +7.5V, -12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 3.5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok