Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

GPIHV30DFN

GANFET N-CH 1200V 30A DFN8X8

Üretici
GaNPower
Paket/Kılıf
Die
Seri / Aile Numarası
GPIHV30DFN

GPIHV30DFN Hakkında

GPIHV30DFN, GaNPower tarafından üretilen N-channel GaNFET (Gallium Nitride) transistörüdür. 1200V drain-source voltaj ile 30A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 6V drive voltajında maksimum 8.25nC gate charge ve 236pF input capacitance değerleriyle düşük kayıplar sunar. DFN8x8 surface mount paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında, inverter devreleri, güç dönüştürücüleri ve hızlı anahtarlama gerektiren endüstriyel elektronik sistemlerde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.25 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 236 pF @ 400 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case Die
Part Status Active
Supplier Device Package Die
Technology GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Max) +7.5V, -12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.4V @ 3.5mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok