Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
GPI65060DFN
GANFET N-CH 650V 60A DFN8X8
- Üretici
- GaNPower
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- GPI65060
GPI65060DFN Hakkında
GPI65060DFN, GaNPower tarafından üretilen 650V 60A N-Channel Gallium Nitride (GaN) FET transistörüdür. DFN8X8 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 16 nC gate charge ve 420 pF input capacitance ile düşük anahtarlama kayıpları sunar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Power electronics, DC-DC dönüştürücüler, inverter devreleri ve güç yönetim sistemlerinde tercih edilir. Sürekli 60A drenaj akımı kapasitesi ile enerji verimli tasarımlar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 6 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 420 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Active |
| Supplier Device Package | Die |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (Max) | +7.5V, -12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 3.5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok