Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
GPI65030DFN
GANFET N-CH 650V 30A DFN8X8
- Üretici
- GaNPower
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- GPI65030
GPI65030DFN Hakkında
GPI65030DFN, GaNPower tarafından üretilen N-kanal GaNFET (Gallium Nitride) transistördür. 650V drain-source gerilimi ve 30A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 5.8 nC gate yükü ve düşük kapasitans değerleri ile hızlı anahtarlama özelliği sağlar. DFN8x8 yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlar için uygundur. Anahtarlamalı güç kaynakları, invertörler, DC-DC konvertörleri ve diğer güç elektronik devrelerinde tercih edilir. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.8 nC @ 6 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 241 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Active |
| Supplier Device Package | Die |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (Max) | +7.5V, -12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 3.5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok