Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
GPI65015TO
GANFET N-CH 650V 15A TO220
- Üretici
- GaNPower
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- GPI65015
GPI65015TO Hakkında
GPI65015TO, GaNPower tarafından üretilen N-kanal GaNFET (Gallium Nitride) transistörüdür. 650V drain-source gerilim (Vdss) ve 15A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. Gate charge değeri 3.3nC olup, düşük sürüş gereksinimlerine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama güç kaynakları, inverter devreleri, motor sürücüleri ve enerji dönüştürme sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. Die paket formatında sunulan GPI65015TO, kompakt tasarımlarda yüksek yoğunluklu entegrasyona olanak sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.3 nC @ 6 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 123 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Active |
| Supplier Device Package | Die |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (Max) | +7.5V, -12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 3.5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok