Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

GPI65015DFN

GANFET N-CH 650V 15A DFN 8X8

Üretici
GaNPower
Paket/Kılıf
Die
Seri / Aile Numarası
GPI65015

GPI65015DFN Hakkında

GPI65015DFN, GaNPower tarafından üretilen N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) transistörüdür. 650V drain-source voltaj kapasitesi ve 15A sürekli dren akımı ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. DFN 8x8 yüzey montajlı pakette sunulan bu transistör, düşük kapı yükü (3.3 nC), düşük giriş kapasitesi (116 pF) ve minimal on-resistance özellikleri ile anahtarlama hızını ve verimini optimize eder. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, enerji yönetim sistemleri ve endüstriyel güç uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15A
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.3 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 116 pF @ 400 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case Die
Part Status Active
Supplier Device Package Die
Technology GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Max) +7.5V, -12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 3.5mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok