Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
GPI65010DF56
GANFET N-CH 650V 10A DFN 5X6
- Üretici
- GaNPower
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- GPI65010DF56
GPI65010DF56 Hakkında
GPI65010DF56, GaNPower tarafından üretilen N-Channel GaNFET (Gallium Nitride Field Effect Transistor) transistördür. 650V drain-source voltaj ve 10A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. 6V gate drive voltajında maksimum 2.6nC gate charge ve 90pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Yüksek voltajlı DC-DC dönüştürücüler, invertörler, güç kaynakları ve endüstriyel güç kontrol sistemlerinde uygulanır. DFN 5x6 yüzey montajlı paket tipinde üretilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.6 nC @ 6 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 90 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Active |
| Supplier Device Package | Die |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (Max) | +7.5V, -12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 3.5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok