Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
GPI65008DF56
GANFET N-CH 650V 8A DFN5X6
- Üretici
- GaNPower
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- GPI65008DF
GPI65008DF56 Hakkında
GPI65008DF56, GaNPower tarafından üretilen N-kanal GaNFET (Gallium Nitride) transistörüdür. 650V drain-source gerilimi ve 8A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Düşük gate charge (2.1 nC @ 6V) ve input kapasitansı (63 pF @ 400V) ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. Surface mount DFN5X6 paketinde sunulan bileşen, -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Anahtarlamalı güç kaynakları, DC-DC konvertörleri, motorun sürücü devreleri ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.1 nC @ 6 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 63 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Active |
| Supplier Device Package | Die |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (Max) | +7.5V, -12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 3.5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok