Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
GPI65005DF
GANFET N-CH 650V 5A DFN 5X6
- Üretici
- GaNPower
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- GPI65005DF
GPI65005DF Hakkında
GPI65005DF, GaNPower tarafından üretilen N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) teknolojisine dayalı bir güç transistörüdür. 650V drain-source gerilimi ve 5A sürekli dren akımı kapasitesiyle yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 2.6 nC gate charge ve 45 pF input capacitance özellikleri ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. DFN 5x6 yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlar için uygundur. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu bileşen, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrolörleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.6 nC @ 6 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 45 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Active |
| Supplier Device Package | Die |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (Max) | +7.5V, -12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 1.75mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok