Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
GP2T080A120U
SIC MOSFET 1200V 80M TO-247-3L
- Üretici
- SemiQ
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- GP2T080A120U
GP2T080A120U Hakkında
GP2T080A120U, SemiQ tarafından üretilen N-Channel SiC (Silicon Carbide) MOSFET transistördür. 1200V drain-source gerilimi ve 35A sürekli drain akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 100mOhm RDS(on) değeri ve 188W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile verimli anahtarlama sağlar. TO-247-3L paket tipi endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında montajı kolaylaştırır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Yüksek voltaj güç elektronikleri, invertörler, şarj sistemleri ve motor kontrol devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 58 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1377 pF @ 1000 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 188W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 20A, 20V |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Technology | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Vgs (Max) | +25V, -10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 10mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok