Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
GAN063-650WSAQ
GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- GAN063
GAN063-650WSAQ Hakkında
GAN063-650WSAQ, Nexperia tarafından üretilen N-Channel GaNFET (Gallium Nitride FET) teknolojisine dayanan güç transistörüdür. 650V drain-source gerilimi ve 34.5A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 60mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. TO-247-3 Through Hole paket tipiyle endüstriyel uygulamalara uygundur. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabilitesi korunur. Yüksek gerilim anahtarlama uygulamaları, güç dönüştürücüleri, DC-DC konvertörleri ve UPS sistemlerinde kullanılır. ±20V maksimum gate-source gerilim kapasitesi ile kontrollü şaltım özellikleri sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 34.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1000 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 143W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Technology | GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok