Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
GAN041-650WSBQ
GAN041-650WSB/SOT429/TO-247
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- GAN041-650WSB
GAN041-650WSBQ Hakkında
GAN041-650WSBQ, Nexperia tarafından üretilen N-Channel GaNFET (Gallium Nitride FET) teknolojisine dayalı yüksek gerilim MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilim ve 47.2A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç elektrik uygulamalarında kullanılır. 41mΩ maksimum on-direnç değeri düşük enerji kaybı sağlar. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama güç kaynakları, invertörler, motor sürücüler ve endüstriyel güç dönüştürücü tasarımlarında uygulanır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklık aralığında 187W güç yayılım kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 47.2A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1500 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 187W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 41mOhm @ 32A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Technology | GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok