Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
GA50JT17-247
TRANS SJT 1700V 100A TO247
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- GA50JT17
GA50JT17-247 Hakkında
GA50JT17-247, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 1700V/100A SiC (Silicon Carbide) junction transistördür. TO-247-3 kapsüsünde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 25mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. 175°C'ye kadar çalışma sıcaklığında 583W güç yayılabilme kapasitesine sahiptir. Endüstriyel güç elektronikleri, inverter uygulamaları ve yüksek voltaj denetim sistemlerinde yer bulur. Through-hole montaj tipi ile PCB'ye doğrudan lehimlenebilir. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuş durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1700 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 583W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 50A |
| Supplier Device Package | TO-247 |
| Technology | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok