Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
GA50JT12-247
TRANS SJT 1200V 100A TO247AB
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- GA50JT12
GA50JT12-247 Hakkında
GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen GA50JT12-247, Silicon Carbide (SiC) teknolojisine dayalı bir Junction Transistör'dür. 1200V drain-source gerilimi ve 100A sürekli drain akımı özelliğine sahip bu bileşen, yüksek güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-247-3 paketinde sunulan transistör, 25mOhm RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. 175°C maksimum işletme sıcaklığında 583W güç dağıtabilir. SiC teknolojisi sayesinde hızlı anahtarlama ve yüksek verimlilik gerektiren güç elektroniği devrelerinde, inverterler, çevirgeçler ve motor sürücülerinde uygulanır. Through-hole montaj tipi ile PCB'ye doğrudan monte edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7209 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 583W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 50A |
| Supplier Device Package | TO-247AB |
| Technology | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok