Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
GA50JT06-258
TRANS SJT 600V 100A TO258
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-258-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- GA50JT06
GA50JT06-258 Hakkında
GA50JT06-258, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 600V/100A SiC (Silicon Carbide) Junction Transistor'dür. TO-258-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek sıcaklık ortamlarında (-55°C ~ 225°C) çalışabilir. 25mΩ @ 50A on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 769W maksimum güç saçma kapasitesi ile güç elektronikleri uygulamalarında, invertör devreleri, DC-DC konvertörleri ve motor sürücüleri gibi alanlarda kullanılır. Through-hole montaj tipi ile PCB'ye doğrudan lehimlenmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 225°C (TJ) |
| Package / Case | TO-258-3, TO-258AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 769W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 50A |
| Supplier Device Package | TO-258 |
| Technology | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok