Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
GA20SICP12-247
TRANS SJT 1200V 45A TO247AB
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- GA20SICP12
GA20SICP12-247 Hakkında
GA20SICP12-247, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 1200V/45A Silicon Carbide (SiC) Junction Transistör'dür. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama ve güç yönetimi işlevleri gerçekleştirir. 50mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışan transistör, 282W güç disipasyonuna kapaklıdır. SiC teknolojisi sayesinde hızlı anahtarlama, düşük ısıl dirençler ve yüksek sıcaklık dayanımı sunar. Endüstriyel sürücü devreleri, güç kaynakları, invertörler ve yüksek frekanslı enerji dönüştürme uygulamalarında kullanılır. Parça statüsü itibariyle yaşlanmış (Obsolete) kategorisindedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 45A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3091 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 282W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 20A |
| Supplier Device Package | TO-247AB |
| Technology | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok