Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
GA20JT12-263
TRANS SJT 1200V 45A D2PAK
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- GA20JT12
GA20JT12-263 Hakkında
GA20JT12-263, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 1200V/45A Silicon Carbide (SiC) Junction Transistör'dür. D2PAK (TO-263) surface mount paketinde sunulan bu bileşen, yüksek gerilim güç uygulamalarında kullanılmaktadır. 60mΩ (20A'de) düşük gate-drain kapasitansı ve 282W güç dağılımı kapasitesi ile AC/DC konverterleri, motor kontrol devreleri, güç kaynakları ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -175°C'ye kadar çalışabilen bu transistör, yüksek sıcaklık ortamlarında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 45A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3091 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 282W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 20A |
| Supplier Device Package | TO-263-7 |
| Technology | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok